Singolo Moduli MOSFET Vishay, canale N, 27.3 mΩ 650 V, 113 A Miglioramento, SOT-227, Morsetto a vite, 4 Pin VS-FC100SA65

Immagine rappresentativa della gamma

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

30,60 €

(IVA esclusa)

37,33 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 16 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 930,60 €
10 - 9924,97 €
100 - 47922,07 €
480 +20,26 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
869-226
Codice costruttore:
VS-FC100SA65
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

Moduli MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

113A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

VS-FC

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Morsetto a vite

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

27.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

338nC

Dissipazione di potenza massima Pd

833W

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

25.7mm

Standard/Approvazioni

UL

Lunghezza

38.3mm

Altezza

12.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il modulo MOSFET di potenza a super giunzione a canale N di Vishay è dotato di un MOSFET di potenza a super giunzione che funziona efficacemente con specifiche di corrente e tensione elevate.

La tecnologia Super Junction consente prestazioni superiori con una bassa R DS(on)

La corrente di drenaggio nominale continua di 82 A massimizza l'efficienza in varie condizioni operative

Le eccezionali caratteristiche termiche consentono il funzionamento a una temperatura di giunzione massima di 150 °C

La resistenza alla tensione da gate a sorgente di ±20 V garantisce prestazioni robuste

La bassa carica del gate riduce al minimo le perdite di commutazione per una gestione ottimale dell'alimentazione

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.