MOSFET Vishay, canale Canale P -60 V, 0.1 Ω P, -20 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale SQD19P06-60L_NE3

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Codice RS:
878-892
Codice costruttore:
SQD19P06-60L_NE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-60V

Serie

SQ

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

P

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
GB
Il MOSFET a canale P avanzato per uso automobilistico di Vishay è progettato per prestazioni elevate nelle applicazioni automobilistiche, offrendo affidabilità ed efficienza in condizioni estreme.

Senza alogeni e conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

Certificazione AEC-Q101 per una maggiore affidabilità nel settore automobilistico

Tensione di interruzione drain-sorgente di -60 V per un funzionamento robusto

La corrente di drenaggio continua massima di 20 A garantisce un'efficace gestione della potenza

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