MOSFET Vishay, canale Canale P -80 V, 0.028 Ω P, -48 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale SQD50P08-28_NE3

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Codice RS:
878-894
Codice costruttore:
SQD50P08-28_NE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-48A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-80V

Serie

SQ

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.028Ω

Modalità canale

P

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

95nC

Tensione diretta Vf

-1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.22mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

6.73mm

Altezza

2.38mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
GB
Il MOSFET a canale P di Vishay offre prestazioni eccezionali con una tensione massima drain-source di 80 V e una temperatura nominale di 175 °C. Questo componente è progettato per migliorare l'efficienza nelle applicazioni automobilistiche.

Senza alogeni in conformità a IEC 61249-2-21

Qualificato AEC-Q101 per l'affidabilità automobilistica

Corrente di drenaggio continua massima di 48 A, con picco di 190 A

RDS(on) ottimizzato di 0,028 Ohm a VGS = -10 V

Conforme alla direttiva RoHS 2002/95/CE

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