MOFSET canale N MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale Canale N, 10 Ω 1500 V, 2.6 A MOSFET, H2PAK-2, Montaggio
- Codice RS:
- 881-431
- Codice costruttore:
- STH4N150-2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 881-431
- Codice costruttore:
- STH4N150-2AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1500V | |
| Tipo di package | H2PAK-2 | |
| Serie | STH4N150 | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10Ω | |
| Modalità canale | MOSFET | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 208W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35.1nC | |
| Configurazione transistor | MOFSET canale N | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Altezza | 15.8mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1500V | ||
Tipo di package H2PAK-2 | ||
Serie STH4N150 | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10Ω | ||
Modalità canale MOSFET | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 208W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35.1nC | ||
Configurazione transistor MOFSET canale N | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Altezza 15.8mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando PowerMESH tecnologia. Questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il mercato automobilistico.
Carica gate molto bassa
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga