MOFSET canale N MOSFET di potenza STMicroelectronics, canale N, 10 Ω 1.5 kV, 2.6 A MOSFET, H2PAK-2, Montaggio

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Codice RS:
881-431
Codice costruttore:
STH4N150-2AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.5kV

Serie

STH4N150

Tipo di package

H2PAK-2

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10Ω

Modalità canale

MOSFET

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

MOFSET canale N

Altezza

15.8mm

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.4mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando PowerMESH tecnologia. Questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di tensione e robustezza per il mercato automobilistico.

Carica gate molto bassa

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

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