MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.023 Ω Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP-6, Montaggio superficiale SI3462DV-T1-GE3

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Codice RS:
904-971
Codice costruttore:
SI3462DV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TSOP-6

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.023Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

4.2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

ROHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET di potenza Vishay offre prestazioni eccezionali per le applicazioni di commutazione, fornendo un controllo affidabile nei circuiti elettronici più impegnativi e garantendo un funzionamento efficiente in vari ambienti.

La struttura a canale N supporta una commutazione efficace con una resistenza minima in stato attivo

La tensione nominale massima drain-source di 60 V migliora la versatilità nell'applicazione

La bassa tensione di soglia gate-source garantisce la compatibilità con un'ampia gamma di circuiti di azionamento

Ottimizzato per le prestazioni termiche con una bassa resistenza termica, migliorando l'efficienza

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