MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.023 Ω Miglioramento, 9 A, 6 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIA4620DJ-T1-GE3

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Codice RS:
904-973
Codice costruttore:
SIA4620DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.023Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

17.9W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.05mm

Standard/Approvazioni

ROHS

Lunghezza

2.05mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione. Eccelle in varie applicazioni grazie alle sue metriche ad alte prestazioni e al contenitore compatto, il che lo rende ideale per i moderni progetti elettronici.

Funziona a una tensione massima drain-source di 60 V

Presenta una bassa resistenza in stato attivo per una maggiore efficienza

Offre una corrente di drenaggio continua fino a 8,6 A a 25 °C

Include test approfonditi per l'affidabilità e le prestazioni

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