MOSFET Vishay, canale N 60 V, 0.000995 Ω Miglioramento, 330 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 904-978
- Codice costruttore:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 904-978
- Codice costruttore:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 330A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.000995Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 98nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 205W | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | ROHS | |
| Larghezza | 5mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 330A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.000995Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 98nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 205W | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni ROHS | ||
Larghezza 5mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per operazioni ad alta efficienza, in particolare per affrontare le perdite di potenza associate alla conduzione nelle applicazioni elettroniche. Questo componente è caratterizzato dalla sua struttura robusta e dalla sua durata in condizioni diverse.
La tecnologia TrenchFET Gen IV garantisce prestazioni eccellenti con una perdita di potenza minima
Valore nominale per una tensione drain-source di 60 V, garantendo stabilità in ambienti ad alta tensione
La bassa resistenza in stato attivo massimizza l'efficienza nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione
Progettato con capacità di dissipazione di potenza migliorate per ridurre i problemi termici