MOSFET Nexperia, canale P, 250 mΩ, 3 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

P

Corrente massima continuativa di drain

3 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

SOT-223

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

250 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.8V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

1,65 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

10 nC a 10 V

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

3.7mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-65 °C

Altezza

1.7mm