MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 2 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD100N04S402ATMA1
- Codice RS:
- 110-7111
- Codice costruttore:
- IPD100N04S402ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
12,24 €
(IVA esclusa)
14,93 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,224 € | 12,24 € |
| 50 - 90 | 1,162 € | 11,62 € |
| 100 - 240 | 1,139 € | 11,39 € |
| 250 - 490 | 1,064 € | 10,64 € |
| 500 + | 0,99 € | 9,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 110-7111
- Codice costruttore:
- IPD100N04S402ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 91nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 91nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.41mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Non applicabile
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™ T2
OptiMOS ™ -T2 è una nuova una gamma di transistor MOSFET ad alta efficienza energetica con riduzione di CO2 e azionamenti elettrici. La nuova famiglia di prodotti OptiMOS™ -T2 amplia le famiglie già esistenti OptiMOS™ -T e OptiMOS™.
I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
Canale N - modalità potenziata
Qualifica AEC
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.