MOSFET Infineon, canale N, 39,8 mΩ, 30 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
110-7435
Codice costruttore:
IPD220N06L3GBTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

30 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

DPAK (TO-252)

Serie

OptiMOS™ 3

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

39,8 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.2V

Tensione di soglia gate minima

1.2V

Dissipazione di potenza massima

36 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

7 nC a 4,5 V

Larghezza

6.22mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

2.41mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

Non applicabile

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, da 60 a 80 V


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

MOSFET a commutazione rapida per alimentatori switching
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Transistor MOSFET, Infineon


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