MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 110 mΩ Miglioramento, 28 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante STF35N60DM2
- Codice RS:
- 111-6464P
- Codice costruttore:
- STF35N60DM2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- STF35N60DM2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 28A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -25V, +25V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 40W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 16.4mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 28A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -25V, +25V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 40W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 16.4mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.
Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema
Qualifica AEC-Q101