MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 79 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW48N60DM2

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

5,58 €

(IVA esclusa)

6,81 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 484 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 95,58 €
10 - 995,51 €
100 +5,45 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
111-6484
Codice costruttore:
STW48N60DM2
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

79mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

15.75mm

Altezza

20.15mm

Standard automobilistico

No

MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics


I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.

Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema

Qualifica AEC-Q101

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.