MOSFET STMicroelectronics, canale N, 79 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 111-6484
Codice costruttore:: STW48N60DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 79 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 111-6484
Codice costruttore:: STW48N60DM2
Costruttore:: STMicroelectronics

STW48N60DM2, N-channel 600 V, 65 mOhm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	40 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh DM2
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	79 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Larghezza	5.15mm
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Lunghezza	15.75mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.6V
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 79 mΩ, 40 A, TO-247, Su foro

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MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics

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