MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 79 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW48N60DM2
- Codice RS:
- 111-6484P
- Codice costruttore:
- STW48N60DM2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 5 unità (fornito in tubo)*
30,70 €
(IVA esclusa)
37,45 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 496 unità in spedizione dal 09 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 6,14 € |
| 10 - 24 | 5,99 € |
| 25 - 49 | 5,83 € |
| 50 + | 5,69 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 111-6484P
- Codice costruttore:
- STW48N60DM2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 79mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 79mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MDmesh serie DM2 a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET MDmesh DM2 offrono una bassa resistenza RDS(on) e, con il tempo di recupero inverso migliorato per garantire la massima efficienza, questa serie è ottimizzata per topologie ZVS full-bridge a sfasamento.
Elevata capacità dV/dt per una maggiore affidabilità del sistema
Qualifica AEC-Q101