MOSFET onsemi, canale N 60 V, 14 mΩ Miglioramento, 70 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

62,45 €

(IVA esclusa)

76,20 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 2001,249 €62,45 €
250 - 9501,216 €60,80 €
1000 - 24501,185 €59,25 €
2500 +1,155 €57,75 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
124-1664
Codice costruttore:
RFP70N06
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

70A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83mm

Altezza

9.4mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.