MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 4 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
124-1747
Codice costruttore:
FDP038AN06A0
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

17 A

Tensione massima drain source

60 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

4 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

310 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

4.83mm

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.67mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

96 nC a 10 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

9.65mm

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
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