MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 4 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 124-1747
Codice costruttore:: FDP038AN06A0
Costruttore:: Fairchild Semiconductor

MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 4 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,386 €

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1,691 €

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50 +	1,386 €	69,30 €

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Codice RS:: 124-1747
Codice costruttore:: FDP038AN06A0
Costruttore:: Fairchild Semiconductor

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	310 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	96 nC a 10 V
Lunghezza	10.67mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.83mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.65mm

MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 4 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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