MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 15,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-5398
Codice costruttore:: NTD20P06LT4G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 15,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-5398
Codice costruttore:: NTD20P06LT4G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	15,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	65 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 5 V
Larghezza	6.22mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	6.73mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.38mm

MOSFET onsemi, canale P, 150 mΩ, 15,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P da 30 V a 500 V, ON Semiconductor

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