MOSFET ROHM, canale N, P, 360 mΩ, 1,5 A, TSMT, Montaggio superficiale

Marchio

ROHM

Tipo di canale

N, P

Corrente massima continuativa di drain

1,5 A

Tensione massima drain source

20 V, 30 V

Tipo di package

TSMT

Serie

QS6M3

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

360 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.5V

Tensione di soglia gate minima

0.5V

Dissipazione di potenza massima

1,25 W

Configurazione transistor

Base doppia

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

2.9mm

Carica gate tipica @ Vgs

1,6 nC a 4,5 V

Numero di elementi per chip

2

Larghezza

1.6mm

Altezza

0.85mm

Tensione diretta del diodo

1.2V