MOSFET ROHM, canale Tipo P 20 V, 1.2 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
124-6835P
Codice costruttore:
RU1C002ZPTCL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-323

Serie

RU1C002ZP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-10V, +10V

Dissipazione di potenza massima Pd

150mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.4nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.35mm

Lunghezza

2.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1mm

Standard automobilistico

No

Transistor MOSFET a canale P, ROHM


Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


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