MOSFET ROHM, canale N 20 V, 4.8 Ω Miglioramento, 200 mA, 3 Pin, ESM, Superficie RUM002N02T2L

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Codice RS:
124-6839
Codice costruttore:
RUM002N02T2L
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

200mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

RUM002N02

Tipo di package

ESM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

150mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

1.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

450μm

Larghezza

900μm

Standard automobilistico

No

Transistor MOSFET a canale N, ROHM


Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


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