MOSFET ROHM, canale N, 4,8 Ω, 200 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-6839
Codice costruttore:: RUM002N02T2L
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 4,8 Ω, 200 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-6839
Codice costruttore:: RUM002N02T2L
Costruttore:: ROHM

RUM002N02, N-Channel Small Signal MOSFET (20V 200mA)
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-723
Serie	RUM002N02
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,8 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	0.3V
Dissipazione di potenza massima	150 mW
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	0.9mm
Lunghezza	1.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.45mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET ROHM, canale N, 4,8 Ω, 200 mA, SOT-723, Montaggio superficiale

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Transistor MOSFET a canale N, ROHM

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