MOSFET Wolfspeed, canale Tipo N 1 kV, 90 mΩ Miglioramento, 35 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 125-3453P
- Codice costruttore:
- C3M0065100K
- Costruttore:
- Wolfspeed
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- Codice RS:
- 125-3453P
- Codice costruttore:
- C3M0065100K
- Costruttore:
- Wolfspeed
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Wolfspeed | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1kV | |
| Serie | C3M | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 90mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 113.5W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 19 V | |
| Tensione diretta Vf | 4.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.21 mm | |
| Lunghezza | 16.13mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 23.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Wolfspeed | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1kV | ||
Serie C3M | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 90mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 113.5W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 19 V | ||
Tensione diretta Vf 4.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.21 mm | ||
Lunghezza 16.13mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 23.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza al carburo di silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nuova tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) C3M
Minimo di 1000 V di tensione di scarica distruttiva drain-source su tutta la gamma di temperature d'esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
8 mm di dispersione/gioco tra drain e source
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa resistenza in stato attivo drain-source
Resistenza alle valanghe
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso