MOSFET Wolfspeed, canale N, 90 mΩ, 35 A, TO-247-4, Su foro
- Codice RS:
- 125-3453P
- Codice costruttore:
- C3M0065100K
- Costruttore:
- Wolfspeed
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Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)
€ 15,55
(IVA esclusa)
€ 18,97
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 25 - 74 | € 15,55 |
| 75 - 149 | € 15,12 |
| 150 + | € 14,76 |
Opzioni di confezione:
- Codice RS:
- 125-3453P
- Codice costruttore:
- C3M0065100K
- Costruttore:
- Wolfspeed
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza al carburo di silicio, serie C3M, Cree Inc.
Nuova tecnologia MOSFET al carburo di silicio (SiC) C3M
Minimo di 1000 V di tensione di scarica distruttiva drain-source su tutta la gamma di temperature d'esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
8 mm di dispersione/gioco tra drain e source
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa resistenza in stato attivo drain-source
Resistenza alle valanghe
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso
Minimo di 1000 V di tensione di scarica distruttiva drain-source su tutta la gamma di temperature d'esercizio
Nuovo contenitore a bassa impedenza con sorgente driver
8 mm di dispersione/gioco tra drain e source
Commutazione ad alta velocità con bassa capacità di uscita
Elevata tensione di bloccaggio con bassa resistenza in stato attivo drain-source
Resistenza alle valanghe
Diodo intrinseco rapido con basso recupero inverso
Transistor MOSFET, Cree Inc.
Specifiche
| Attributo | Valore |
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 35 A |
| Tensione massima drain source | 1000 V |
| Tipo di package | TO-247-4 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 90 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
| Tensione di soglia gate minima | 1.8V |
| Dissipazione di potenza massima | 113,5 W |
| Tensione massima gate source | -8 V, +19 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Larghezza | 5.21mm |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Carica gate tipica @ Vgs | 35 nC a 15 V, 35 nC a 4 V |
| Materiale del transistor | SiC |
| Lunghezza | 16.13mm |
| Tensione diretta del diodo | 4.8V |
| Altezza | 23.6mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Serie | C3M |