MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 250 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 126-3477
Codice costruttore:: NTMFS5H600NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 250 A, DFN, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 126-3477
Codice costruttore:: NTMFS5H600NLT1G
Costruttore:: onsemi

NTMFS5H600NL, Power MOSFET N-Channel 60V, 1.3mOhm, 250A
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	250 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DFN
Serie	NTMFS5H600NL
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4 + Tab
Resistenza massima drain source	1,7 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	160 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.1mm
Carica gate tipica @ Vgs	89 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 1,7 mΩ, 250 A, DFN, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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