MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 21 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0962P
Codice costruttore:: IRF7862TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 21 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina)**. Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

0,829 €

(IVA esclusa)

1,011 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità
10 +	0,829 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 130-0962P
Codice costruttore:: IRF7862TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7862PbF, HEXFET Power MOSFET 30V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	21 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.35V
Tensione di soglia gate minima	1.35V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4mm
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	30 nC a 4,5 V
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Serie	HEXFET

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 21 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon