MOSFET Infineon, canale N, 2,4 mΩ, 180 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0989P
Codice costruttore:: IRFR7440TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,4 mΩ, 180 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 130-0989P
Codice costruttore:: IRFR7440TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRFR7440PbF, IRFU7440PbF, HEXFET Power MOSFET 40V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.9V
Tensione di soglia gate minima	2.2V
Dissipazione di potenza massima	140 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.73mm
Carica gate tipica @ Vgs	89 nC a 20 V
Larghezza	2.39mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	6.22mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V

MOSFET Infineon, canale N, 2,4 mΩ, 180 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 40 V, Infineon