MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-0996P
Codice costruttore:: IRFS3107TRLPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 130-0996P
Codice costruttore:: IRFS3107TRLPBF
Costruttore:: Infineon

IRFS3107PbF, IRFSL3107PbF, HEXFET Power MOSFET 75V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	230 A
Tensione massima drain source	75 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	160 nC @ 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	9.65mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Serie	HEXFET

MOSFET Infineon, canale N, 3 mΩ, 230 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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