MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 300 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 130-1026P
Codice costruttore:: IRLS3036TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 300 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 130-1026P
Codice costruttore:: IRLS3036TRL7PP
Costruttore:: Infineon

IRLS3036-7PPbF, HEXFET Power MOSFET 60V
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	300 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	D2PAK-7
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	2,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	380 W
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	110 nC a 4,5 V
Lunghezza	10.67mm
Larghezza	4.83mm
Tensione diretta del diodo	1.3V
Altezza	9.65mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 2,2 mΩ, 300 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon