MOSFET Texas Instruments, canale N 80 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 157 A, 8 Pin, VSON, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
133-0154P
Codice costruttore:
CSD19502Q5BT
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

157A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

VSON

Serie

NexFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

130nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

800mV

Dissipazione di potenza massima Pd

195W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.1mm

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza NexFET™ canale N, Texas Instruments


Transistor MOSFET, Texas Instruments


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