MOSFET Texas Instruments, canale N 80 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 157 A, 8 Pin, VSON, Superficie
- Codice RS:
- 133-0154P
- Codice costruttore:
- CSD19502Q5BT
- Costruttore:
- Texas Instruments
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 10 unità (fornito in una striscia continua)*
23,60 €
(IVA esclusa)
28,80 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 18 | 2,36 € |
| 20 - 48 | 2,11 € |
| 50 - 98 | 1,915 € |
| 100 + | 1,83 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 133-0154P
- Codice costruttore:
- CSD19502Q5BT
- Costruttore:
- Texas Instruments
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Texas Instruments | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 157A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | VSON | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 130nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Tensione diretta Vf | 800mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 195W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.1mm | |
| Altezza | 1.05mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Texas Instruments | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 157A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package VSON | ||
Serie NexFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 130nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Tensione diretta Vf 800mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 195W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.1mm | ||
Altezza 1.05mm | ||
Standard automobilistico No | ||
