MOSFET Nexperia, canale N, 9,2 Ω, 300 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

300 mA

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

9,2 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2.1V

Tensione di soglia gate minima

1.1V

Dissipazione di potenza massima

1,33 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.4mm

Carica gate tipica @ Vgs

0,33 nC a 4,5 V

Lunghezza

3mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C