MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 287 A, 4 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C604NLAFT1G

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
141-3193
Codice costruttore:
NVMFS5C604NLAFT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

287A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NVMFS5C604NL

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Altezza

1.05mm

Larghezza

6.1 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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