MOSFET onsemi, canale N 60 V, 1.2 mΩ Miglioramento, 287 A, 4 Pin, DFN, Superficie NVMFS5C604NLAFT1G

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

6,43 €

(IVA esclusa)

7,84 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 18 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 96,43 €
10 - 995,54 €
100 - 4994,81 €
500 - 9994,22 €
1000 +3,84 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
141-3193
Codice costruttore:
NVMFS5C604NLAFT1G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

287A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

DFN

Serie

NVMFS5C604NL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

120nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.1mm

Larghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Altezza

1.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.