MOSFET Texas Instruments, canale N, 270 mΩ, 3 A, PICOSTAR, Montaggio superficiale

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Codice RS:
145-1158
Codice costruttore:
CSD17484F4T
Costruttore:
Texas Instruments
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Marchio

Texas Instruments

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

3 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PICOSTAR

Serie

FemtoFET

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

270 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

500 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-12 V, +12 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

0.64mm

Carica gate tipica @ Vgs

1570 nC a 0 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

1.04mm

Altezza

0.2mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

0.9V

Paese di origine:
PH

MOSFET di potenza FemtoFET™ con canale N, Texas Instruments



Transistor MOSFET, Texas Instruments

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