MOSFET Vishay, canale P, 280 mΩ, 6,1 A, TO-220AB, Su foro

Name: MOSFET Vishay, canale P, 280 mΩ, 6,1 A, TO-220AB, Su foro
Brand: Vishay
SKU: 145-1714
Price: 1.83 EUR
Availability: InStock

50 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)

1,503 €

(IVA esclusa)

1,834 €

(IVA inclusa)

*prezzo indicativo

Link consigliati

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,1 A
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.65mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.51mm
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.49mm

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	6,1 A
Tensione massima drain source	50 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	280 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.65mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.51mm
Carica gate tipica @ Vgs	17 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	15.49mm