MOSFET onsemi, canale N, 15 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:
145-4343
Codice costruttore:
FDP150N10A_F102
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

50 A

Tensione massima drain source

100 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

TO-220

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

15 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

91 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.36mm

Carica gate tipica @ Vgs

16,2 nC a 10 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.672mm

Altezza

15.215mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale N PowerTrench® da 20A a 59,9A, Fairchild Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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