- Codice RS:
- 145-4352
- Codice costruttore:
- FCPF600N60Z
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)
1,879 €
(IVA esclusa)
2,292 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per stecca* |
---|---|---|
50 - 50 | 1,879 € | 93,95 € |
100 + | 1,766 € | 88,30 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-4352
- Codice costruttore:
- FCPF600N60Z
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- MY
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.
Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.
Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.
Transistor MOSFET, ON Semi
Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 7,4 A |
Tensione massima drain source | 600 V |
Serie | SuperFET II |
Tipo di package | TO-220F |
Tipo di montaggio | Su foro |
Numero pin | 3 |
Resistenza massima drain source | 600 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 2.5V |
Dissipazione di potenza massima | 28 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | +30 V |
Carica gate tipica @ Vgs | 20 nC a 10 V |
Lunghezza | 10.36mm |
Larghezza | 4.9mm |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Materiale del transistor | Si |
Altezza | 16.07mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
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