1 MOSFET onsemi Singolo, canale Tipo N, 8 mΩ, 80 A 75 V, TO-247, Foro passante Miglioramento, 3 Pin FDH038AN08A1
- Codice RS:
- 145-4368
- Codice costruttore:
- FDH038AN08A1
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 145-4368
- Codice costruttore:
- FDH038AN08A1
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20, -20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20, -20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
MOSFET a canale N PowerTrench®, oltre 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.
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