Codice costruttore

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 36 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 145-4516
Codice costruttore:: FDP2552
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 36 mΩ Miglioramento, 5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:: 145-4516
Codice costruttore:: FDP2552
Costruttore:: onsemi

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Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	PowerTrench
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	36mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	39nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	150W
	Tensione diretta Vf	1.25V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.67mm
	Altezza	9.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie PowerTrench
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 36mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 39nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 150W
	Tensione diretta Vf 1.25V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.67mm
	Altezza 9.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: MY

MOSFET a canale N PowerTrench® fino a 9,9A, Fairchild Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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