MOSFET onsemi, canale N, 199 mΩ, 20 A, TO-220, Su foro

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

54,60 €

(IVA esclusa)

66,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità
Per unità
Per Tubo*
50 +1,092 €54,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
145-4656
Codice costruttore:
FCP190N60_GF102
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

20 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

TO-220

Serie

SuperFET II

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

199 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

208 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

10.36mm

Carica gate tipica @ Vgs

57 nC a 10 V

Larghezza

4.672mm

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

15.215mm

Paese di origine:
KR

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.
Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.