MOSFET onsemi, canale Tipo N, 60 mΩ, 20 A 60 V, TO-220, Foro passante Miglioramento, 3 Pin FQP20N06

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Codice RS:
145-5365
Codice costruttore:
FQP20N06
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-220

Serie

QFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Dissipazione di potenza massima Pd

53W

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.4mm

Larghezza

4.7mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY

MOSFET a canale N QFET®, da 11 A a 30 A, Fairchild Semiconductor


I nuovi MOSFET planari QFET® FairField Semiconductor utilizzano una tecnologia avanzata e proprietaria per offrire le migliori prestazioni operative della classe per un'ampia gamma di applicazioni, tra cui alimentatori, PFC (correzione del fattore di potenza), convertitori c.c.-c.c., pannelli display al plasma (PDP), ballast di illuminazione e controllo del movimento.

Offrono una perdita di stato on ridotta riducendo la resistenza di on (RDS(on)), e una perdita di commutazione ridotta riducendo la carica del gate (Qg) e la capacità di uscita (Coss). Utilizzando la tecnologia di processo QFET® avanzata, Fairchild è in grado di offrire una cifra di merito (FOM) migliorata rispetto ai dispositivi MOSFET Planar concorrenti.

Transistor MOSFET, ON Semi


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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.

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