2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo N, 259 mΩ, 1.2 A 20 V, US, Superficie, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 145-5680
- Codice costruttore:
- FDG1024NZ
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
705,00 €
(IVA esclusa)
861,00 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,235 € | 705,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 145-5680
- Codice costruttore:
- FDG1024NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | US | |
| Tipo montaggio | Superficie, Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 259mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 360mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package US | ||
Tipo montaggio Superficie, Montaggio superficiale | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 259mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 360mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a doppio canale N PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
I MOSFET ON PowerTrench® di Semis sono interruttori di potenza ottimizzati che offrono una maggiore efficienza del sistema e una maggiore densità di potenza. Combina una carica di gate ridotta, un piccolo recupero inverso e un diodo del corpo a recupero inverso morbido per contribuire alla commutazione rapida della rettifica sincrona negli alimentatori CA/CC.
Le prestazioni del diodo a corpo morbido dei MOSFET PowerTrench® sono in grado di eliminare il circuito snubber o di sostituire un MOSFET a tensione nominale più elevata.
Transistor MOSFET, ON Semi
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I MOSFET semi-ON forniscono un'affidabilità di progettazione superiore, dai picchi di tensione ridotti e dall'eccesso di sovratensione, alla capacità di giunzione più bassa e alla carica di recupero inverso, all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi in funzione e funzionanti più a lungo.