MOSFET onsemi, canale N, 760 mΩ, 950 mA, SOT-363 (SC-70), Montaggio superficiale

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Codice RS:
146-2123
Codice costruttore:
FDG313N
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

950 mA

Tensione massima drain source

25 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

SOT-363 (SC-70)

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

760 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

0.65V

Dissipazione di potenza massima

750 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-8 V, +8 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

1.25mm

Carica gate tipica @ Vgs

1,64 nC a 4,5 V

Lunghezza

2mm

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Altezza

1mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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