MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 146-2172
Codice costruttore:: FDS5670
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)**

0,877 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2500 +	0,877 €	2.192,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 146-2172
Codice costruttore:: FDS5670
Costruttore:: onsemi

FDS5670, 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	10 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOIC
Serie	PowerTrench
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	14 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	49 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Altezza	1.5mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET onsemi, canale N, 14 mΩ, 10 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N PowerTrench® da 10 A a 19,9A, Fairchild Semiconductor

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