MOSFET onsemi, canale N, 1,15 mΩ, 218 A, PQFN, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
146-4092
Codice costruttore:
FDMS1D5N03
Costruttore:
ON Semiconductor
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Marchio

ON Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

218 A

Tensione massima drain source

30 V

Tipo di package

PQFN

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

1,15 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

2V

Tensione di soglia gate minima

0.8V

Dissipazione di potenza massima

83 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±16 V

Larghezza

5.85mm

Numero di elementi per chip

2

Lunghezza

5mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

99 a 10 V nC

Tensione diretta del diodo

1.3V

Serie

PowerTrench

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.05mm

MOSFET di potenza a canale N, 30V, ON Semiconductor



Transistor MOSFET, ON Semiconductor