MOSFET Vishay, canale N, 75 mΩ, 2,6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2,6 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

SOT-23

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

75 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

0.85V

Tensione di soglia gate minima

0.4V

Dissipazione di potenza massima

0,71 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

±8 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

3.04mm

Carica gate tipica @ Vgs

3,5 nC a 4,5 V

Larghezza

1.4mm

Numero di elementi per chip

1

Altezza

1.02mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Tensione diretta del diodo

1.2V