MOSFET ROHM, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

Codice RS:: 148-6960
Codice costruttore:: RE1C002ZPTL
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 148-6960
Codice costruttore:: RE1C002ZPTL
Costruttore:: ROHM

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SC-75
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9,6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	0.3V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	150 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±10 V
Larghezza	0.96mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	1,4 nC a 4,5 V
Lunghezza	1.7mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET ROHM, canale P, 9,6 Ω, 200 mA, SC-75, Montaggio superficiale

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