FET a livello logico TrenchMOS Nexperia, canale Tipo N 40 V, 4.4 mΩ Miglioramento, 75 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 151-3405
- Codice costruttore:
- BUK964R4-40B,118
- Costruttore:
- Nexperia
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- Codice RS:
- 151-3405
- Codice costruttore:
- BUK964R4-40B,118
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | FET a livello logico TrenchMOS | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 75A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | BUK964R4-40B | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 15 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 254W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Larghezza | 9.4 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto FET a livello logico TrenchMOS | ||
Massima corrente di scarico continua Id 75A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie BUK964R4-40B | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 15 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 254W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Altezza 4.5mm | ||
Larghezza 9.4 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
FET TrenchMOS a canale N di livello logico, transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore di plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC per l'uso in applicazioni critiche nel settore automobilistico.
Conformità AEC-Q101
Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo
Adatto per sorgenti a stadio pilota livello logico
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C
Carichi da 12 V
Sistemi per uso automobilistico
Commutazione di potenza per impieghi generali
Motori, lampade e solenoidi
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