MOSFET Nexperia, canale N 40 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, TO-220, Superficie PSMN2R8-40PS,127

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
152-3684
Codice costruttore:
PSMN2R8-40PS,127
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

71nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

211W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.4mm

Lunghezza

10.3mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).

MOSFET a canale N TO220 di livello standard da 40 V, 2,8 mΩ. MOSFET a canale N di livello standard in contenitore TO220 qualificato per l’uso a 175 °C. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in un'ampia gamma di apparecchiature industriali, per le comunicazioni e domestiche.

Elevata efficienza grazie alle basse perdite di conduzione e commutazione

Struttura robusta per applicazioni impegnative

Stadio pilota di livello standard

Convertitori c.c.-c.c.

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