MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 4 Pin, TO-220, Superficie PSMN2R8-40PS,127
- Codice RS:
- 152-3684
- Codice costruttore:
- PSMN2R8-40PS,127
- Costruttore:
- Nexperia
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
12,38 €
(IVA esclusa)
15,105 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 4720 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,476 € | 12,38 € |
| 10 - 20 | 1,864 € | 9,32 € |
| 25 + | 1,778 € | 8,89 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 152-3684
- Codice costruttore:
- PSMN2R8-40PS,127
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 211W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 71nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.3mm | |
| Altezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.4 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 211W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.3mm | ||
Altezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.4 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).
MOSFET a canale N TO220 di livello standard da 40 V, 2,8 mΩ. MOSFET a canale N di livello standard in contenitore TO220 qualificato per luso a 175 °C. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in un'ampia gamma di apparecchiature industriali, per le comunicazioni e domestiche.
Elevata efficienza grazie alle basse perdite di conduzione e commutazione
Struttura robusta per applicazioni impegnative
Stadio pilota di livello standard
Convertitori c.c.-c.c.
Commutazione dei carichi
Controllo motori
Alimentatori server
Link consigliati
- MOSFET Nexperia 5.6 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET Nexperia 4.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante PSMN4R5-40PS,127
- MOSFET Nexperia 4.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Nexperia 2.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie PSMN2R8-40YSDX
- MOSFET Nexperia 2.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie PSMN2R8-40YSBX
- MOSFET Nexperia 2.8 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie PSMN2R8-80SSFJ
- MOSFET Nexperia 75 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante PHP20N06T,127
- MOSFET Nexperia 1.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante PSMN1R8-30PL,127
