MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 250 mΩ Miglioramento, 20 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IRFP460BPBF
- Codice RS:
- 159-6516
- Codice costruttore:
- IRFP460BPBF
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 159-6516
- Codice costruttore:
- IRFP460BPBF
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 250mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Larghezza | 5.31 mm | |
| Altezza | 20.82mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 250mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 85nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Larghezza 5.31 mm | ||
Altezza 20.82mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie D Vishay
CARATTERISTICHE
• Progettazione Ottimale
- Resistenza On Specifica Per Area Bassa
- Bassa Capacità Di Ingresso (Ciss)
- Perdite Di Commutazione Capacitive Ridotte
- Robustezza Del Diodo Ad Alta Resistenza
- Avalanche Energy Rated (Uis)
• Efficienza E Funzionamento Ottimali
- Basso Costo
- Semplice Circuito Di Azionamento Del Gate
- bassa figura di merito (FOM): Ron x Qg
- Cambio Rapido
APPLICAZIONI
• Elettronica di consumo
- Display (LCD o TV al plasma)
• Alimentatori Per Server E Telecomunicazioni
- SMPS
• Applicazioni industriali
- Saldatura
- Riscaldamento A Induzione
- Azionamenti Per Motori
• Caricabatteria
• SMPS
- Correzione Del Fattore Di Potenza (Pfc)