MOSFET onsemi, canale N, 3,3 mΩ, 150 A, DFN, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-0287
Codice costruttore:: NTMFS5C628NLT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 3,3 mΩ, 150 A, DFN, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)**

0,649 €

(IVA esclusa)

0,792 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	0,649 €	973,50 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 163-0287
Codice costruttore:: NTMFS5C628NLT1G
Costruttore:: onsemi

NTMFS5C628NL Power MOSFET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	150 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	DFN
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	5
Resistenza massima drain source	3,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.1mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	52 nC a 10 V
Lunghezza	5.1mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.05mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 3,3 mΩ, 150 A, DFN, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor

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