2 MOSFET di potenza onsemi Interruttore di carico N+P, canale Tipo P, Tipo N, 320 mΩ, 1.3 A 8 V, SC-88, Superficie

Codice RS:: 163-1114
Codice costruttore:: NTJD1155LT1G
Costruttore:: onsemi

2 MOSFET di potenza onsemi Interruttore di carico N+P, canale Tipo P, Tipo N, 320 mΩ, 1.3 A 8 V, SC-88, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 163-1114
Codice costruttore:: NTJD1155LT1G
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo prodotto	MOSFET di potenza
	Tipo di canale	Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	8V
	Tipo di package	SC-88
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	320mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	150°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	400mW
	Tensione diretta Vf	-0.8V
	Temperatura massima di funzionamento	-55°C
	Configurazione transistor	Interruttore di carico N+P
	Altezza	1mm
	Lunghezza	2.2mm
	Standard/Approvazioni	No
	Numero elementi per chip	2
	Standard automobilistico	No

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	Marchio onsemi
	Tipo prodotto MOSFET di potenza
	Tipo di canale Tipo P, Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.3A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 8V
	Tipo di package SC-88
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 320mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa 150°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 400mW
	Tensione diretta Vf -0.8V
	Temperatura massima di funzionamento -55°C
	Configurazione transistor Interruttore di carico N+P
	Altezza 1mm
	Lunghezza 2.2mm
	Standard/Approvazioni No
	Numero elementi per chip 2
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

Caratteristiche e vantaggi:

• Protezione ESD

• Interruttore di carico a canale P Rds ultra-basso

• Gamma V da 1,8 a 8,0 V.

• Gamma ON/OFF - da 1,5 a 8,0 V.

• Pacchetto SOT 363

• Carico di trasmissione fino a 1,3 A con 8 V.

Applicazioni:

• Interruttore di carico lato alto con cambio di livello

• Telefoni cellulari

• Telecamere digitali

• PDA

• Giocatori multimediali

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

2 MOSFET di potenza onsemi Interruttore di carico N+P, canale Tipo P, Tipo N, 320 mΩ, 1.3 A 8 V, SC-88, Superficie

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

Transistor MOSFET, ON Semiconductor

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