2 MOSFET di potenza onsemi Interruttore di carico N+P, canale Tipo P, Tipo N, 320 mΩ, 1.3 A 8 V, SC-88, Superficie

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Codice RS:
163-1114
Codice costruttore:
NTJD1155LT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

8V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

320mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione diretta Vf

-0.8V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Interruttore di carico N+P

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.2mm

Larghezza

1.35 mm

Altezza

1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

Caratteristiche e vantaggi:


• Protezione ESD

• Interruttore di carico a canale P Rds ultra-basso

• Gamma V da 1,8 a 8,0 V.

• Gamma ON/OFF - da 1,5 a 8,0 V.

• Pacchetto SOT 363

• Carico di trasmissione fino a 1,3 A con 8 V.

Applicazioni:


• Interruttore di carico lato alto con cambio di livello

• Telefoni cellulari

• Telecamere digitali

• PDA

• Giocatori multimediali

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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