2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 500 mΩ, 880 mA 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
163-1118
Codice costruttore:
NTJD4158CT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

880mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

270mW

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Tensione diretta Vf

0.65V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Larghezza

1.35 mm

Altezza

1mm

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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