MOSFET onsemi, canale N, P, 2,5 Ω, 500 mΩ, 250 mA, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 163-1118
Codice costruttore:: NTJD4158CT1G
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, P, 2,5 Ω, 500 mΩ, 250 mA, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Codice RS:: 163-1118
Codice costruttore:: NTJD4158CT1G
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	250 mA, 880 mA
Tensione massima drain source	20 V, 30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	2,5 Ω, 500 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	270 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	0,9 nC a 5 V, 2,2 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	2.2mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET onsemi, canale N, P, 2,5 Ω, 500 mΩ, 250 mA, 880 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor

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