MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, I2PAK, Foro passante STI28N60M2
- Codice RS:
- 164-6985P
- Codice costruttore:
- STI28N60M2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 18 | 2,465 € |
| 20 - 48 | 2,39 € |
| 50 - 98 | 2,33 € |
| 100 + | 2,275 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 164-6985P
- Codice costruttore:
- STI28N60M2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | I2PAK | |
| Serie | STI28 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.3mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package I2PAK | ||
Serie STI28 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.3mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questi dispositivi sono MOSFET di potenza a canale N sviluppati con la tecnologia MDmesh™ M2. Grazie al layout e alla struttura verticale migliorata, questi dispositivi presentano una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, che li rendono adatti ai convertitori ad alta efficienza più impegnativi.
Carica di gate estremamente bassa
Profilo con eccellente capacità di uscita (COSS)
Testato con effetto valanga al 100%
Protezione Zener
Qg estremamente basso per una maggiore efficienza
Carica di gate e profili di capacità ottimizzati per gli alimentatori risonanti (convertitori LLC)