MOSFET STMicroelectronics, canale N 650 V, 150 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, I2PAK, Foro passante
- Codice RS:
- 164-6985P
- Codice costruttore:
- STI28N60M2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 164-6985P
- Codice costruttore:
- STI28N60M2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 22A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Serie | STI28 | |
| Tipo di package | I2PAK | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 150mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 4.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 9.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 22A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Serie STI28 | ||
Tipo di package I2PAK | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 150mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 4.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 9.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Questi dispositivi sono MOSFET di potenza a canale N sviluppati con la tecnologia MDmesh™ M2. Grazie al layout e alla struttura verticale migliorata, questi dispositivi presentano una bassa resistenza in stato attivo e caratteristiche di commutazione ottimizzate, che li rendono adatti ai convertitori ad alta efficienza più impegnativi.
Carica di gate estremamente bassa
Profilo con eccellente capacità di uscita (COSS)
Testato con effetto valanga al 100%
Protezione Zener
Qg estremamente basso per una maggiore efficienza
Carica di gate e profili di capacità ottimizzati per gli alimentatori risonanti (convertitori LLC)