MOSFET Infineon, canale N, 11 mΩ, 104 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:
165-5801
Codice costruttore:
IRFB4115GPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

104 A

Tensione massima drain source

150 V

Tipo di package

TO-220AB

Serie

HEXFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

11 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

380 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.83mm

Carica gate tipica @ Vgs

77 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Lunghezza

10.67mm

Altezza

16.51mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


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